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  • PDA015A2-UV(DP)200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 感光尺寸 Φ150μm

    200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 感光尺寸 Φ150μm 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外,還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>

    更新時(shí)間:2025-09-23
    產(chǎn)品型號(hào):PDA015A2-UV(DP)
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  • PDA10A2(DP)200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 感光尺寸 Φ1.0mm

    200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 感光尺寸 Φ1.0mm 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外,還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>

    更新時(shí)間:2025-09-23
    產(chǎn)品型號(hào):PDA10A2(DP)
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  • DET30B2(DP)800~1800nm偏壓型大光敏面鍺光電探測(cè)器 Φ3.0mm

    800~1800nm偏壓型大光敏面鍺光電探測(cè)器 Φ3.0mm 我們的10 GHz 光電探測(cè)器包含 PIN 光電二極管,利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。 當(dāng)端接到示波器的 50 Ω 電阻時(shí),可以測(cè)量激光的脈沖寬度。當(dāng)端接到頻譜分析儀的 50 Ω 電阻時(shí),可以測(cè)量激光器的頻率響應(yīng)。 EOT 的 10 GHz 光電探測(cè)器自帶由長(zhǎng)壽命鋰電池組成的內(nèi)部偏置電源。

    更新時(shí)間:2025-09-25
    產(chǎn)品型號(hào):DET30B2(DP)
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  • MCT-UM-I-10.6-1×1帶光浸式光伏多結(jié)探測(cè)器的MCT通用紅外檢測(cè)模塊 2.0–12.0µm DC–100 MHz

    帶光浸式光伏多結(jié)探測(cè)器的MCT通用紅外檢測(cè)模塊 2.0–12.0µm DC–100 MHz UM-I-10.6是一款通用的一體化紅外檢測(cè)模塊。這是一款基于碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光伏探測(cè)器,在緊湊的外殼中集成了跨阻、直流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗口可以防止不必要的干擾。UM-I-10.6檢測(cè)模塊是非常方便和用戶友好的設(shè)備,因此可以很容易地用于各種LWIR應(yīng)用。

    更新時(shí)間:2025-09-24
    產(chǎn)品型號(hào):MCT-UM-I-10.6-1×1
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  • P97M30T2-A950-1650nm 單元InGaAs探測(cè)器 二級(jí)TEC 感光Φ3000um

    950-1650nm 單元InGaAs探測(cè)器 二級(jí)TEC 感光Φ3000um P97MXXT2系列單元InGaAs探測(cè)器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)的InGaAs光敏芯片、過(guò)渡電極板、溫度傳感器以及二級(jí)熱電致冷器(TEC)組成,采用TO封裝形式。本使用手冊(cè)僅針對(duì)該系列產(chǎn)品進(jìn)行說(shuō)明。

    更新時(shí)間:2025-08-30
    產(chǎn)品型號(hào):P97M30T2-A
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